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標準型記憶體經過2年價格崩跌，產值大減的負面循環之後，今年價格反轉，研究機構集邦科技TrendForce今(30)日表示，主流產品4GB模組合約價今年以來上揚近6成，帶動伺服器與行動式記憶體平均銷售單價止跌反彈，今年度產值年成長可望大幅增長30%。

至於在NAND Flash部分也隨著行動裝置銷售增長以及產業結構性調整，市場供需狀況已大幅改善，2013年整體產值較2012大幅成長27.2%。

DRAM產業未來數年將延續今年緩慢復甦的態勢，以往價格端大起大落的巨幅波動將成為歷史。

2013年的DRAM產業正進行大幅度的結構性調整，供需以及銷售價格改善牽動產值緩慢復甦。

除了企業之間進行整併與重整外，因應雲端以及行動手持產品領域需求快速增長，DRAM供應商經營模式轉向其他更高毛利的產品別，企業獲利能力也因產品多角化(diversification)的程度而出現更大的差異。

TrendForce表示，2013年DRAM供應商因為無法仰賴個人電腦(PC)等消費性產品，因此針對需求位元成長的預測也逐年趨緩，因此，資本支出也將轉趨保守，除了製程轉進的相關投資外，未有建置新產能的計畫。

展望2014年，由於廠商製程轉進已經瀕臨物理極限，預計2014年2X奈米將成為主流製程，後續獲利能力將取決於高附加價值的產品(LPDDR4 or DDR4)以及下一個世代的堆疊技術(3D-IC, TSV)，單純供給位元成長已退居為次要的獲利指標。

由於製程持續微縮的難度大幅增高，在EUV (Extreme ultraviolet lithography )機台尚未齊備的前提下，DRAM產業未來數年的展望將可望延續2013年度緩慢復甦的態勢，過往價格端大起大落的巨幅波動將成為歷史。

TrendForce進一步表示，2014年三星半導體挾其高度垂直整合的企業結構囊括DRAM市占率達50%的態勢將維持不變，行動式記憶體事業將更受惠於其自有品牌的智慧型手機出貨而可望進一步提升營業利益。

至於美商美光半導體與日商爾必達正式合併以後，不論是產能(Capacity)或是產品組合都能夠與位居第2的韓系廠SK Hynix一較高下，除了固有標準型記憶體以外，隨著隸屬行動式記憶體產品類別的eMCP(emmc multi-chip package)日趨普及，快閃記憶體(NAND FLASH)技術將成為競爭勝出的關鍵。

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